[发明专利]抗低温抗干燥防静电塑料材料制备方法无效
| 申请号： | 200610038126.3 | 申请日： | 2006-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN101007883A | 公开（公告）日： | 2007-08-01 |
| 发明（设计）人： | 徐德成 | 申请（专利权）人： | 盐城高阳科技有限公司 |
| 主分类号： | C08L23/06 | 分类号： | C08L23/06;C08K13/06;C09K3/16;B29C47/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 224054江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及的是抗低温抗干燥防静电塑料材料制备方法。其特征为将纳米超导碳黑5％～10％，纳米超导CaCO3晶体2％～5％，明矾晶体1％～2％，导电MgCL2晶体0.2％～1％，AT抗静电剂0.2％～2％置入高混机中经5～10分钟冷混，获得分散均匀的粉末。以60％～88％HDPE聚乙烯高分子塑料粒子和1％～20％线型超低分子量聚乙烯在高混机中搅拌，搅拌的同时将聚乙烯粒子加热至100～120摄氏度，按重量百分比将上述制得的导电辅料均匀分散于高混机中，在高混机中高速预混5～10分钟后获得颗粒状混合物。本发明制备的防静电塑料材料具有很好的抗低温抗干燥效果。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 干燥 静电 塑料 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、抗低温抗干燥防静电塑料材料制备方法，其特征为将纳米超导碳黑5％～10％，纳米超导CaCO3晶体2％～5％，明矾晶体1％～2％，导电MgCL2晶体0.2％～1％，AT抗静电剂0.2％～2％置入高混机中经5～10分钟冷混，获得分散均匀的粉末。
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