[发明专利]制备氮化镓单晶薄膜材料的装置及方法无效
| 申请号： | 200610039392.8 | 申请日： | 2006-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN101045997A | 公开（公告）日： | 2007-10-03 |
| 发明（设计）人： | 刘贵锋;解新建;王玉琦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B29/40 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230031*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种制备氮化镓单晶薄膜材料的装置及方法。装置为真空室(1)两端分别连通氮气管(2)、氯化氢气管(3)、氨气管(4)和排气管(8)，室内置有内置反应腔(14)的源区(5)和内置旋转支撑架(7)的生长区(6)，反应腔(14)中置有金属镓(13)；方法为将覆有氮化铝膜和氮化镓膜的衬底置于支撑架上，并使真空室处于氮气氛后将源区和生长区的温度升至500～550℃下2.5～3小时，再向真空室通入氨气和氮气，并将源区的温度升至850～900℃、生长区的温度升至1030～1070℃后，在继续通入氮气和氨气的同时，先由氯化氢气管加入氮气，再由其加入氯化氢气，并使支撑架旋转，而制得氮化镓单晶薄膜材料。它制得的氮化镓单晶薄膜材料的品质极高。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 氮化 镓单晶 薄膜 材料 装置 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制备氮化镓单晶薄膜材料的装置，包括真空室(1)的两端分别连通有进气管和排气管(8)、室内的生长区(6)中置有衬底(9)，其特征在于：(a)所说进气管为氮气管(2)、氯化氢气管(3)和氨气管(4)，所说氮气管(2)的开口位于真空室(1)的上端，所说氯化氢气管(3)与位于真空室(1)内源区(5)中的反应腔(14)的一端相连通，反应腔(14)的另一端与氯化镓气管(11)相连通，所说氯化镓气管(11)的另一端为开口，所说氨气管(4)伸入真空室(1)内且其端口为封闭状，其面向氯化镓气管(11)开口处的一面置有喷口(10)；(b)所说反应腔(14)中置有金属镓(13)；(c)所说衬底(9)位于所说氯化镓气管(11)开口处下方的生长区(6)中的支撑架(7)上，所说支撑架(7)为旋转支撑架；(d)所说源区(5)中的温度为850～900℃，生长区(6)中的温度为1030～1070℃。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院合肥物质科学研究院，未经中国科学院合肥物质科学研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610039392.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：使用壳聚糖衍生物对香烟烟雾的选择性过滤
- 下一篇：保胎药
