[发明专利]SiO2核－聚合物壳杂化纳米材料的合成方法

摘要

本发明涉及SiO₂核－聚合物壳杂化纳米材料合成方法。将纳米二氧化硅干燥，按重量比2∶1取纳米二氧化硅、γ－甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷在氮气保护下，在甲苯回流温度下反应，真空烘干得烷基化纳米二氧化硅；加入阴离子表面活性剂、非离子表面活性剂、异丙醇，将体系加热到75℃，滴加过硫酸钾溶液反应、冷却得白色粉末的SiO₂核－聚合物壳杂化纳米材料。解决了无皂乳液聚合法固含量低、无法工业化应用，及带正电的聚合物微粒子与带负电的二氧化硅表面的静电相互作用的核壳结构不可控等缺陷。制备的杂化纳米粒子形貌可控、纯净，体系固含量高达15％，4％的杂化纳米材料有效地提高PVC膜材的冲击强度、断裂伸长率、弹性模量、硬度及阻隔性能。

主权项

1.SiO2核-聚合物壳杂化纳米材料的合成方法，其步骤为：(1)纳米二氧化硅的表面烷基化将纳米二氧化硅于真空烘箱中干燥，按重量比2∶1取纳米二氧化硅、γ-甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷，在氮气保护下，在甲苯的回流温度下反应，然后降温、静置、过滤，用乙醇充分洗涤，真空烘干，得烷基化纳米二氧化硅；(2)烷基化纳米二氧化硅表面的接枝聚合加入阴离子表面活性剂、非离子表面活性剂、异丙醇在磁力搅拌及氮气保护条件下，将体系加热到75℃，往体系中均匀缓慢地滴加过硫酸钾溶液，滴加完毕再继续反应，然后冷却、过滤，干燥得到白色粉末的SiO2核-聚合物壳杂化纳米。