[发明专利]氯化铵蚀刻液的充氧装置无效
申请号: | 200610041000.1 | 申请日: | 2006-08-18 |
公开(公告)号: | CN1912186A | 公开(公告)日: | 2007-02-14 |
发明(设计)人: | 王水平;丁四宜 | 申请(专利权)人: | 丁四宜;王水平 |
主分类号: | C23F1/08 | 分类号: | C23F1/08;C23F1/14;H05K3/06 |
代理公司: | 常州市维益专利事务所 | 代理人: | 何学成 |
地址: | 213181江苏省常*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种化学反应装置,特别是对电子线路板表面履的铜膜的处理的装置。氯化铵蚀刻液的充氧装置,反应罐内通过隔板分为反应缸与收集区,反应缸上端外沿有溢流口与收集区相通,反应罐外设置有联接有伸入隔板上方的反应缸内的送液管道的循环泵,送液管道上联接充气口,循环泵另一端联接一联接有伸入到隔板下方的吸液管道的沉降池。本发明装置的优点是能有效地用于电子线路板履膜铜的处理,十分环保,且结构简单,操作方便,有较高的社会与经济效益。 | ||
搜索关键词: | 氯化铵 蚀刻 装置 | ||
【主权项】:
1、氯化铵蚀刻液的充氧装置,具有一反应罐,其特征为:反应罐内上方设置有反应缸,反应缸的上端外沿与反应罐内壁间形成有溢流口,反应罐内的下端部分为收集区,反应缸与收集区间设置有隔板,溢流口与收集区相通,反应罐外设置有一循环泵,其联接有伸入隔板上方的反应缸内的送液管道,反应罐外的送液管道上联接相通有一充气口,循环泵另一端联接一沉降池,沉降池联接有伸入到隔板下方的吸液管道。
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