[发明专利]锰氧化物异质薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 200610041607.X | 申请日： | 2006-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN1822408A | 公开（公告）日： | 2006-08-23 |
| 发明（设计）人： | 金克新;陈长乐;赵省贵 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;C23C14/34 |
| 代理公司： | 西北工业大学专利中心 | 代理人： | 黄毅新 |
| 地址： | 710072陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种锰氧化物异质薄膜，包括硅单晶基片、铁薄膜和银电极，其特征在于：还包括La0.7Sr0.3MnO3薄膜，在边长为1～2mm硅单晶基片对称线位置是一层宽为0.8～1mm、长与硅单晶基片边长相等的铁薄膜，铁薄膜长边上的对称线与硅单晶基片对称线重合，在铁薄膜上面中心位置是0.5～1×0.5～1mm、厚度为30～50nm的La0.7Sr0.3MnO3薄膜，在La0.7Sr0.3MnO3薄膜上面是一层与底层铁薄膜位置垂直、大小薄厚相同的铁薄膜，在两层铁薄膜的两端是银电极。还公开了上述锰氧化物异质薄膜的制备方法，采用磁控溅射方法在硅单晶基片上依次溅射铁薄膜/La0.7Sr0.3MnO3薄膜/铁薄膜，使La0.7Sr0.3MnO3薄膜处于铁薄膜之间，利用隧道磁电阻的形式，使磁场灵敏度达到60％/T。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种锰氧化物异质薄膜，包括硅单晶基片、铁薄膜和银电极，其特征在于：还包括La0.7Sr0.3MnO3薄膜，在边长为1～2mm硅单晶基片对称线位置是一层宽为0.8～1mm、长与硅单晶基片边长相等的铁薄膜，铁薄膜长边上的对称线与硅单晶基片对称线重合，在铁薄膜上面中心位置是0.5～1×0.5～1mm、厚度为30～50nm的La0.7Sr0.3MnO3薄膜，在La0.7Sr0.3MnO3薄膜上面是一层与底层铁薄膜位置垂直、大小薄厚相同的铁薄膜，在两层铁薄膜的两端是银电极。
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