[发明专利]制造半导体器件的氧化与扩镓一步运行工艺

摘要

本发明提供一种制造半导体器件的氧化与扩镓一步运行工艺。采取开管系统，先将洁净的N型硅片置入高温炉的恒温区，在氧气氛中进行高温氧化，热氧化结束后向管道内通入氮气除氧，待残余氧排净后，再在氢气氛下进行镓预沉积，然后在氮气氛保护下进行镓再分布。本发明的氧化，镓预沉积和镓再分布的全工艺过程，是在同一台高温炉中经一次高温连续完成。本氧化与扩镓一步运行工艺具有节省设备投资，简化工艺流程，降低生产成本，提高生产效率和明显改善器件性能等优点。

主权项

1、制造半导体器件的氧化与扩镓一步运行工艺，其特征在于采用开管系统，在同一台高温炉中经一次高温过程连续完成：a.先将洁净的N型硅片置入高温炉的恒温区，在氧气氛中进行高温氧化；b.热氧化结束后，通入氮气排除残余氧，再在氢气氛下进行镓预沉积；c.然后在氮气氛保护下进行镓再分布，最后再缓慢降至室温。