[发明专利]一种氧化锌薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 200610042715.9 | 申请日： | 2006-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN1843934A | 公开（公告）日： | 2006-10-11 |
| 发明（设计）人： | 王秀峰;方俊 | 申请（专利权）人： | 陕西科技大学 |
| 主分类号： | C01G9/02 | 分类号： | C01G9/02 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人： | 张震国 |
| 地址： | 712081*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氧化锌薄膜的制备方法，属于半导体光电与器件领域，首先将锌盐、乙二胺溶于去离子水中，并用氢氧化钠溶液调节pH值至10.50～12.00，制备成薄膜生长反应液，然后将处理过的基片平置于陶瓷加热板上，浸入到制备好的薄膜生长反应液中，控制加热温度100～150℃，反应20～40分钟后即可获得致密的氧化锌薄膜。本发明方法操作简单、成本低，生产周期短。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化锌 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种氧化锌薄膜的制备方法，其特征在于：1)薄膜生长反应液的制备首先将锌盐和乙二胺溶于去离子水中，然后用氢氧化钠调节溶液的pH值为10.50～12.00，使100ml水溶液中含0.005mol的锌盐、0.0125mol的乙二胺，2)基片的预处理将基片在超声波作用下依次用甲苯，丙酮，无水乙醇清洗，再用蒸馏水冲洗干净后，将基片置于浓度为20％的HF中腐蚀1～3分钟，再用蒸馏水冲洗干净后在空气中晾干；3)氧化锌薄膜的制备将预处理后的基片平置于陶瓷加热板上，浸入到薄膜生长反应液中，控制加热温度为100～150℃，反应20～40分钟，反应结束后将基片置于去离子水中超声1～2分钟，用去离子水冲洗后自然晾干，即可获得致密的氧化锌薄膜。
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