[发明专利]一种永磁无刷直流电机弱磁驱动装置无效
| 申请号： | 200610042824.0 | 申请日： | 2006-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN1852020A | 公开（公告）日： | 2006-10-25 |
| 发明（设计）人： | 李榕;刘卫国;刘景林;刘向阳 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | H02P6/08 | 分类号： | H02P6/08 |
| 代理公司： | 西北工业大学专利中心 | 代理人： | 顾潮琪 |
| 地址： | 710072陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种永磁无刷直流电机弱磁驱动装置，为了克服现有技术存在环流、导致在弱磁区间转矩急剧下降，弱磁调速范围狭窄的不足，本发明在传统的永磁无刷直流电动机三相桥式驱动装置将六个MOSFET(金属－氧化物－半导体场效应管)以三相桥式逆变驱动电路连接的基础上，在每个上桥臂和下桥臂的MOSFET下方分别反向串连一个相同的MOSFET，将对应二者的S极(源极)相连，本发明能够有效地消除环流，提高永磁无刷直流电机弱磁调速比。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 永磁 直流电机 驱动 装置 | ||
【主权项】：
1.一种永磁无刷直流电机弱磁驱动装置，包括六个MOSFET(金属-氧化物-半导体效应管)(Q1_H、Q3_H、Q5_H、Q4_H、Q6_H、Q2_H)以三相桥式逆变驱动电路结构连接在直流输入正端与地之间，其特征在于：对应每个上桥臂和下桥臂的MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应管)(Q1_H、Q3_H、Q5_H、Q4_H、Q6_H、Q2_H)下方分别反向串连一个相同的MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应管)(Q1_L、Q3_L、Q5L、Q4_L、Q6_L、Q2_L)，将对应二者(Q1_H和Q1_L、Q3_H和Q3_L、Q5_H和Q5_L、Q4_H和Q4_L、Q6_H和Q6_L、Q2_H和Q2_L)的S极(源极)相连。
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