[发明专利]一种Si－C－N纳米复合超硬薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 200610043030.6 | 申请日： | 2006-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN1896304A | 公开（公告）日： | 2007-01-17 |
| 发明（设计）人： | 马胜利;徐彬;郭岩;徐可为 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C23C16/36 | 分类号： | C23C16/36;C23C16/515 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人： | 李郑建 |
| 地址： | 710049*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种工业型脉冲直流等离子体辅助化学气相沉积设备制备纳米晶h－Si3N4/非晶SiCN纳米复合超硬薄膜材料的方法，其具体方法是：将经1170℃淬火，550℃回火后的硬度为HRC=60的高速钢经表面除油、抛光后浸入丙酮中超声波清洗，酒精脱水，然后放入工业型脉冲直流PCVD真空炉内作为基体材料进行纳米晶h－Si3N4/非晶SiCN纳米复合超硬薄膜材料制备。为获得优化组织结构和优异的力学性能的纳米复合超硬薄膜材料，其优化工艺条件是：脉冲电压550V，脉冲持续和间歇时间为25us，温度550℃，气压200－220Pa，N2280ml/min，H2 700ml/min，Ar90ml/min，SiCl4以载H2表示为150ml/min，沉积时间4h。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 si 纳米 复合 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种Si-C-N纳米复合超硬薄膜的制备方法，该方法采用工业型脉冲直流PCVD设备制备纳米晶h-Si3N4/非晶SiCN纳米复合超硬薄膜材料，其特征在于，具体包括下列步骤：1)将经1170℃淬火，550℃回火后的硬度为HRC＝60的高速钢经表面除油、抛光后浸入丙酮中超声波清洗，酒精脱水；2)然后将高速钢放入工业型脉冲直流PCVD真空炉内，沉积过程中以SiCl4作Si源，Si源的Si原子含量大于12at.％，对高速钢基体进行纳米晶h-Si3N4/非晶SiCN纳米复合超硬薄膜材料的沉积；3)等离子体辅助化学气相沉积工艺条件为：脉冲电压550V，脉冲持续和间歇时间为25us，温度550℃，气压200-220Pa，N2 280ml/min，H2700ml/min，Ar 90ml/min，SiCl4以载H2表示为150ml/min，沉积时间4h即可。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
