[发明专利]一种纳米多台阶高度样板及其制备方法无效
| 申请号： | 200610043075.3 | 申请日： | 2006-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN1920476A | 公开（公告）日： | 2007-02-28 |
| 发明（设计）人： | 景蔚萱;蒋庄德;赵凤霞;朱明智;韩国强 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | G01B11/00 | 分类号： | G01B11/00;G01B9/04;G01N13/10 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人： | 张震国 |
| 地址： | 710049*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种纳米多台阶高度样板及其制备方法，将薄膜厚度转换为纳米多台阶高度样板的台阶高度，通过控制薄膜厚度来控制纳米多台阶高度样板的公称台阶高度，并通过干、湿法套刻技术刻蚀出台阶形状，最终形成多台阶的纳米台阶高度样板。由于薄膜制备工艺易于实现10nm量级厚度的Si3N4薄膜和Cr薄膜的制备，而采用干、湿法套刻技术可以刻蚀出多台阶高度形状，因此该发明降低了纳米多台阶高度样板的制备难度，而且还具有费用低廉，工艺性好，纳米多台阶高度样板的材料选择多样等优点；最后，该纳米多台阶高度样板不仅适合于扫描电子显微镜等非接触式纳米测量仪器的测量、校准和溯源，也适用于扫描探针显微镜等接触式纳米测量仪器的测量、校准和溯源。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 台阶 高度 样板 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种纳米多台阶高度样板，包括基底硅片，其特征在于：在硅片上交替沉积有Si3N4薄膜和Cr薄膜组成的阶梯形状的矩形凸台。
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