[发明专利]非匀质Zn－Co－O磁光薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 200610043854.3 | 申请日： | 2006-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN1858849A | 公开（公告）日： | 2006-11-08 |
| 发明（设计）人： | 陈延学;颜世申;张云鹏;刘国磊;梅良模 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | G11B13/04 | 分类号： | G11B13/04 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 | 代理人： | 鲍光明 |
| 地址： | 250100山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种具有极大克尔(Kerr)转角的非匀质Zn－Co－O磁光薄膜及其制备方法，属于信息材料领域。在真空系统中，应用层状交替沉积和退火处理的办法，获得无定型的非晶态或者六角结构的纳米晶薄膜，Co和Zn之间的固溶度可达到40～85％。该非匀质磁光薄膜在可见光波长区内呈现出非常大的克尔转角，并且可通过控制成分方便的改变克尔转角与波长的关系。 | ||
| 搜索关键词： | 非匀质 zn co 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、非匀质Zn-Co-O磁光薄膜材料，其特征在于具有通式ZnxCo1-xO，其中x＝0.40～0.85，其相结构为六角结构的纳米晶或者无定型的非晶。
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