[发明专利]一种防止垂直腔面发射半导体激光器在湿法氧化时开裂的方法在审
| 申请号： | 200610044192.1 | 申请日： | 2006-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN1851992A | 公开（公告）日： | 2006-10-25 |
| 发明（设计）人： | 蒋伟;刘凯;张彦伟;孙夕庆 | 申请（专利权）人： | 中微光电子（潍坊）有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/00;H01L21/316;H01L21/473 |
| 代理公司： | 潍坊鸢都专利事务所 | 代理人： | 杜希现 |
| 地址： | 261061山东省潍坊市高*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种防止垂直腔面发射半导体激光器在湿法氧化时开裂的方法：依次是将需要氧化的砷化镓晶片放置在氧化炉内腔的石墨块上，密封氧化炉，将水蒸气由氮气夹带通入到氧化炉内腔中，分三个升温时段加热氧化炉，使砷化镓晶片氧化后，关闭水蒸气通路，再经过降温时段、烘烤时段和自然冷却时段，最后关闭氮气通路，从氧化炉内取出氧化的砷化镓晶片。采用这种防止垂直腔面发射半导体激光器在湿法氧化时开裂的方法，操作过程的重复性高、稳定性好，在湿法氧化工艺过程中，开裂现象很少出现，质量稳定，成品率提高到95％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 防止 垂直 发射 半导体激光器 湿法 氧化 开裂 方法 | ||
【主权项】：
1、一种防止垂直腔面发射半导体激光器在湿法氧化时开裂的方法，其特征是依次包括以下的步骤：A、将需要氧化的砷化镓晶片放置在氧化炉内腔的石墨块上，再密封氧化炉；B、将温度为90℃-110℃的水蒸气由氮气夹带通入到氧化炉内腔中，水蒸气与氮气的体积比为1∶10-1∶15；C、第一次加热氧化炉，使氧化炉内腔在3分钟-5分钟时间上升到220℃±2℃，在该温度下保持10分钟-20分钟；D、第二次加热氧化炉，使氧化炉内腔在1分钟-3分钟时间上升到360℃±2℃，在该温度下保持5分钟-15分钟；E、第三次加热氧化炉，使氧化炉内腔在30秒-60秒时间上升到435℃±1℃，使砷化镓晶片氧化，保持该温度直至砷化镓晶片氧化到器件要求；F、氧化完成后，关闭水蒸气通路，在氮气保护条件下，对氧化炉吹风降温，使氧化炉内腔在1分钟-3分钟时间内降至215℃±2℃，在该温度下保持15分钟-25分钟；G、再次加热氧化炉，使氧化炉内腔在1分钟-3分钟时间上升到360℃±2℃，在该温度下保持10分钟-20分钟，对氧化炉内腔进行烘烤；H、对氧化炉自然冷却，使氧化烘烤后的砷化镓晶片在氮气保护条件下自然冷却至室温；I、关闭氮气通路，从氧化炉内取出氧化的砷化镓晶片。
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