[发明专利]垂直腔面发射半导体激光二极管的外延结构有效
| 申请号： | 200610044258.7 | 申请日： | 2006-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN1848565A | 公开（公告）日： | 2006-10-18 |
| 发明（设计）人： | 蒋伟;刘凯;张彦伟;孙夕庆 | 申请（专利权）人： | 中微光电子（潍坊）有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/187;H01S5/343;H01S5/00 |
| 代理公司： | 潍坊鸢都专利事务所 | 代理人： | 臧传进 |
| 地址： | 261021山东省潍坊市高新技*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种垂直腔面发射半导体激光二极管的外延结构，包括(100)砷化镓衬底；生长的单层砷化镓过渡层；生长的多层外部N型布拉格反射层；生长的多层内部N型布拉格反射层；生长的多层量子阱结构；生长的单层内部P型布拉格反射层；生长的多层P型氧化层；生长的多层内部P型布拉格反射层；生长的多层外部P型布拉格反射层；生长的单层高掺杂的P型电流扩展层；生长的单层超高掺杂的P型表面覆盖层。本发明逐层生长所需要的多层布拉格反射层加量子阱结构，重复性高和稳定性好，制造工艺简单、可靠，并大大提高了外延生长的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 发射 半导体 激光二极管 外延 结构 | ||
【主权项】：
1、一种垂直腔面发射半导体激光二极管的外延结构，其特征是包括：第一层为(100)砷化镓衬底；第二层为生长的单层砷化镓过渡层；第三层为生长的多层外部N型布拉格反射层；第四层为生长的多层内部N型布拉格反射层；第五层为生长的多层量子阱结构；第六层为生长的单层内部P型布拉格反射层；第七层为生长的多层P型氧化层；第八层为生长的多层内部P型布拉格反射层；第九层为生长的多层外部P型布拉格反射层；第十层为生长的单层高掺杂的P型电流扩展层；第十一层为生长的单层超高掺杂的P型表面覆盖层。
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