[发明专利]一种化学机械抛光单晶氧化镁基片用的抛光液无效
| 申请号： | 200610047159.4 | 申请日： | 2006-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN1884410A | 公开（公告）日： | 2006-12-27 |
| 发明（设计）人： | 康仁科;王科;金洙吉;郭东明;董志刚;王宁会 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02 |
| 代理公司： | 大连理工大学专利中心 | 代理人： | 关慧贞 |
| 地址： | 116024辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明一种化学机械抛光单晶氧化镁基片用的抛光液，属于化学机械抛光用的抛光液，特别涉及化学机械抛光单晶氧化镁用抛光液领域。这种抛光液是一种水溶胶，其pH值为2～4。抛光液的组成成分含有磨料、反应剂和去离子水；磨料的重量百分比为10～40％；反应剂的重量百分比为0.5～5％；其余重量为去离子水。抛光液的磨料粒径为10～100nm，选自SiO2、ZrO等。抛光液中反应剂选自磷酸或磷酸盐。本发明抛光去除率高，表面无划痕和腐蚀坑等缺陷，抛光样品表面质量好；抛光液的配制简便，成本低；抛光废液处理方便，对环境无污染。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 化学 机械抛光 氧化镁 基片用 抛光 | ||
【主权项】：
1、一种化学机械抛光单晶氧化镁基片用的抛光液，其特征在于，抛光液是一种水溶胶，其PH值为2～4；抛光液的组成成分含有磨料、反应剂和去离子水；磨料的重量百分比为10～40％；反应剂的重量百分比为0.5～5％；其余为去离子水。
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