[发明专利]低温双离子束溅射Ge/Si多层膜自组织Ge量子点的制备方法无效
| 申请号： | 200610048899.X | 申请日： | 2006-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN1974837A | 公开（公告）日： | 2007-06-06 |
| 发明（设计）人： | 杨宇;孔令德;宋超;张曙 | 申请（专利权）人： | 云南大学 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/14;C23C14/54 |
| 代理公司： | 昆明正原专利代理有限责任公司 | 代理人： | 徐玲菊 |
| 地址： | 650091云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明提供一种低温双离子束溅射Ge/Si多层膜自组织Ge量子点的制备方法，使用氩(Ar)气作为工作气体，包括两个离子束溅射枪，其特征在于在工作室本底真空压强小于3.0×10－4Pa，基片温度为200℃～400℃，工作气体(Ar)真空度为1.0×10－2Pa～4.0×10－2Pa的条件下，用双离子束溅射技术在硅(Si)基底材料上交替溅射沉积Si空间层和Ge量子点层。它利用前一层Ge量子点所产生的表面应变势场作用，实现后续层Ge量子点的有序生长，提高了薄膜表面平整度和成膜质量，获得了高密度、尺寸均匀、能满足量子尺寸效应的Ge/Si多层膜自组织Ge量子点，解决了与集成电路工艺技术相兼容的问题，且生产成本低，易于工业化规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 离子束 溅射 ge si 多层 组织 量子 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种低温双离子束溅射Ge/Si多层膜自组织Ge量子点的制备方法，包括离子束真空溅射，并使用氩(Ar)气作为工作气体，其特征在于在生长室本底压强小于3.0×10-4Pa，基片温度为200℃～400℃，工作气体(Ar)压强为1.0×10-2Pa～4.0×10-2Pa的条件下，用双离子束在硅(Si)基片上交替溅射沉积Si空间层和Ge量子点层。
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