[发明专利]一种适合SiC晶须生长的方法无效
| 申请号： | 200610049142.2 | 申请日： | 2006-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN1818152A | 公开（公告）日： | 2006-08-16 |
| 发明（设计）人： | 潘颐;杨光义;陈建军;吴仁兵 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B29/62 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 林怀禹 |
| 地址： | 310027浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种适合SiC晶须生长的方法。在石墨坩埚中，使铁族或镧系元素－硅化物合金化的硅化物熔化为熔体，生长设备为高温真空气氛烧结炉生成SiC晶须，石墨坩埚是作为－Si合金融化的容器又作为实验中的碳源，流动氩气作保护气氛。本发明生长的SiCw纯度高；SiC晶须的长度长，能达到几个毫米；生长SiCw的成本很低；不存在环境污染、制备设备简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 适合 sic 须生 方法 | ||
【主权项】：
1、一种适合SiC晶须生长的方法，其特征在于：在石墨坩埚中，使铁族或镧系元素-硅化物合金化的硅化物熔化为熔体，生长设备为高温真空气氛烧结炉生成SiC晶须，石墨坩埚是作为-Si合金融化的容器又作为实验中的碳源，流动氩气作保护气氛。
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