[发明专利]一种制备硫化镉纳米线的方法无效
| 申请号： | 200610049153.0 | 申请日： | 2006-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN1818153A | 公开（公告）日： | 2006-08-16 |
| 发明（设计）人： | 赵高凌;李红;韩高荣;杨金坚 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C30B29/50 | 分类号： | C30B29/50;C30B29/62 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开的制备硫化镉纳米线的方法，以氯化镉为镉源，硫脲为硫源，二苯硫腙为修饰剂，以己二胺为溶剂，于反应釜中充分反应制得。本发明制备方法以及使用设备简单；制得的CdS纳米线为单晶，沿(100)方向取向生长，长径比在250以上，尺寸分布均匀，纯度高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 硫化 纳米 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备硫化镉纳米线的方法，其特征是包括以下步骤：1)将氯化镉、硫脲、二苯硫腙以摩尔比为10∶25～30∶1置入反应釜中，然后加入己二胺，封闭反应釜；2)将反应釜于180℃～300℃温度下充分反应，取黄色沉淀产物，然后用去离子水及乙醇交替反复洗涤；3)将步骤2)的产物放入真空干燥箱中，50℃～100℃下干燥。
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