[发明专利]低介电常数聚合物膜及其制备方法无效
申请号: | 200610049155.X | 申请日: | 2006-01-18 |
公开(公告)号: | CN1810863A | 公开(公告)日: | 2006-08-02 |
发明(设计)人: | 朱宝库;赵永红;徐又一 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | C08J5/18 | 分类号: | C08J5/18;C08L27/16;C08L81/06 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人: | 张法高 |
地址: | 310027*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种低介电常数聚合物膜及其制备方法。所述聚合物膜具有两个致密皮层,内部为大小在0.5-1.5微米的蜂窝结构,厚度在30-200微米之间,孔隙率为50-85%,介电常数为1.5-2.5。所述聚合物膜制备的步骤依次为:(1)将聚合物、添加剂溶解在溶剂中配成质量浓度为10-25%的制膜液;(2)将制膜液流延于不锈钢载体上刮成厚度为100-500微米的液膜;(3)把带有液膜的载体浸入凝固浴中固化成膜;(4)清洗、干燥。通过改变制膜液组成与液膜厚度、凝固浴组成和温度来调节聚合物膜的结构和介电常数。所述制备方法适用的聚合物种类多,是制备超低介电常数聚合物膜的有效技术。 | ||
搜索关键词: | 介电常数 聚合物 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种低介电常数聚合物膜,其特征在于,它的原料为聚偏氟乙烯、聚醚砜或聚醚醚酮,具有两个致密的皮层,内部是大小为0.5-1.5微米的蜂窝,孔隙率为50-85%,厚度为30-200微米。
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