[发明专利]一种合成碳化硅纳米棒的方法无效
| 申请号： | 200610049667.6 | 申请日： | 2006-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN1834308A | 公开（公告）日： | 2006-09-20 |
| 发明（设计）人： | 潘颐;吴仁兵;陈建军;杨光义 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C30B1/00 | 分类号： | C30B1/00;C30B29/36;C30B29/62;C01B31/36 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 林怀禹 |
| 地址： | 310027浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种合成碳化硅纳米棒的方法。碎硅片置于石墨坩锅里，将盛有碳纳米管的多孔氧化铝基片放置于坩锅上，随后倒置另一石墨坩锅于基片上；将坩锅放置真空高温烧结炉里，以10～30℃/min的升温速率一直升温到1400℃～1600℃，保温时间3～6个小时，硅蒸气与碳纳米管反应，整个装置在Ar的气氛下进行，反应结束后，关掉加热电源，冷却；最后有大量的灰白色的纳米SiC棒粉体产品附着在基片上。所得产品的质量很高，产品杂质少且产率很高，无层错等缺陷；无需使用金属催化剂，所以也避免了因催化剂的混入而导致产品不纯的缺陷；反应设备简单，操作成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 合成 碳化硅 纳米 方法 | ||
【主权项】：
1、一种合成碳化硅纳米棒的方法，其特征在于该方法的步骤如下：1)碎硅片作为起始的原材料，被置于石墨坩锅里，将盛有碳纳米管的多孔氧化铝基片放置于石墨坩锅上，碎硅片和多孔氧化铝基片之间不接触，随后倒置同样直径大小的另一石墨坩锅于多孔氧化铝基片上；2)然后整个石墨坩锅放置真空高温烧结炉里，以10～30℃/min的升温速率一直升温到1400℃～1600℃，保温时间3～6个小时，硅蒸气与碳纳米管反应，整个装置在Ar的气氛下进行，以避免任何的氧化行为发生。反应结束后，关掉加热电源，冷却水一直循环直至整个装置完全冷却；最后有大量的灰白色的产品附着在氧化铝基片上，经X射线衍射检测，所得产品是纳米SiC棒粉体。
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