[发明专利]一种FeS2/In2S3复合膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种FeS₂/In₂S₃复合膜的制备方法。采用ITO膜导电玻璃基片，在摩尔浓度比为1∶(5～6)的水溶液中电沉积预制膜，经130～180℃氧化处理得到多孔形态的Fe₃O₄/In₂O₃复合先驱体膜，再在40～80kPa硫蒸气名义压力气氛中经400℃硫化处理10～30h，使复合先驱体膜转变成FeS₂/In₂S₃复合膜。本发明在电沉积后引入氧化工艺，促进了热硫化中的FeS₂反应，直接由基底膜硫化形成In₂S₃，省去了单独合成In₂S₃的工艺过程，FeS₂/In₂S₃两相界面结合能够得到有效保证，复合膜与基片之间附着牢固可靠。

主权项

1.一种FeS2/In2S3复合膜的制备方法，其特征在于下述步骤：(1)采用载膜基片为In2O3∶SnO2＝9∶1的ITO膜导电玻璃，先后在丙酮和乙醇溶液中超声波清洗各20min后，再用去离子水冲洗；(2)用载膜基片做阴极，Pt片做阳极，在FeSO4和Na2S2O3水溶液中电沉积制取预制膜；(3)将预制膜在环境气氛中进行氧化处理，得到多孔形态的Fe3O4/In2O3复合先驱体膜；(4)将先驱体膜和纯度为99.5％的升华硫粉封装于石英管中，封装前通过反复5次充氩-抽真空过程置换残余气体，封装时抽真空至0.01Pa；(5)将封装后的先驱体膜在400℃等温炉中进行硫化处理，得到FeS2/In2S3复合膜。