[发明专利]氧化锌基薄膜晶体管及芯片制备工艺无效
| 申请号： | 200610050305.9 | 申请日： | 2006-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN1862834A | 公开（公告）日： | 2006-11-15 |
| 发明（设计）人： | 吴惠桢;余萍;梁军;徐天宁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;C23F1/16 |
| 代理公司： | 杭州中成专利事务所有限公司 | 代理人： | 盛辉地 |
| 地址： | 310027浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种应用新型高介电常数(κ)材料－立方镁锌氧(ZnMgO)晶体薄膜做栅绝缘层、六方相ZnO基半导体纳米薄膜做沟道层、氧化铟锡(ITO)或掺铝氧化锌(ZnO：Al)导电玻璃做电极的薄膜晶体管(TFT)的制备工艺，属于微电子技术领域。其优点是能直接在玻璃衬底上低温生长有源层与栅绝缘层器件结构，提供一种简便地TFT制造工艺，与现有的非晶或多晶硅TFT相比，氧化锌基TFT具有对可见光透明、迁移率高等特点。在平板显示，打印机、复印机和摄像机等产品中具有重要的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化锌 薄膜晶体管 芯片 制备 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种氧化锌基薄膜晶体管，包括外壳、引出电极、栅绝缘层、薄膜沟道层、源漏电极、栅电极，其特征在于，所述沟道层为透明氧化锌基半导体纳米薄膜，栅绝缘层为高κ纳米薄膜。
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