[发明专利]常压化学气相沉积法制备的硅化钛纳米线簇及其制备方法无效
| 申请号： | 200610050486.5 | 申请日： | 2006-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN1872662A | 公开（公告）日： | 2006-12-06 |
| 发明（设计）人： | 杜丕一;杜军;郝鹏;黄燕飞;翁文剑;韩高荣;赵高凌;沈鸽;宋晨路;徐刚;张溪文 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | B82B1/00 | 分类号： | B82B1/00;C23C16/42 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 林怀禹 |
| 地址： | 310027浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种常压化学气相沉积法制备的硅化钛纳米线簇及其制备方法。在单根纳米线的一端头部平行生长着多根纳米线构成纳米线簇。该方法采用常压化学气相沉积法，以SiH4和TiCl4为反应物前体，以N2为稀释气体和保护气氛。在玻璃基板上先形成金属硅化物薄膜层，然后在金属硅化物薄膜层上形成高密度的硅化物纳米线簇。该方法对设备要求低，但产量大，效率高。而现有物理气相沉积方法还未制备出金属硅化物纳米线簇；该方法没有使用模板和催化剂，快速大量的生成了单晶的硅化钛纳米线簇；通过对制备条件改变，可得到各种形貌的纳米线簇；通过对制备反应物摩尔比的改变，可得到各种化学组成的纳米线簇。 | ||
| 搜索关键词： | 常压 化学 沉积 法制 硅化钛 纳米 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种常压化学气相沉积法制备的硅化钛纳米线簇，其特征在于：在单根纳米线(2)一端的头部平行生长着多根纳米线构成纳米线簇(1)。
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