[发明专利]一种硅料清洁方法无效
| 申请号： | 200610050725.7 | 申请日： | 2006-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN1947869A | 公开（公告）日： | 2007-04-18 |
| 发明（设计）人： | 吴云才 | 申请（专利权）人： | 浙江昱辉阳光能源有限公司 |
| 主分类号： | B08B3/08 | 分类号： | B08B3/08;B08B3/02;B08B3/04;C23G1/02 |
| 代理公司： | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 | 代理人： | 徐关寿 |
| 地址： | 314117浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体材料清洁处理技术领域，特别涉及对废硅料去除表层杂质的清洁工艺，按下列步骤完成：(1)硅料沉浸于氢氟酸和硝酸混合酸溶液中；(2)捞取浸渍后的硅料，用纯水多级冲洗；(3)将冲洗后的硅料浸泡于纯水；(4)测定纯水浸泡液的电导率；(5)捞取硅料，烘干。经本发明清洁后的废硅料完全清除了硅料表层的杂质和污物，符合制作半导体元器件的材料要求，为缓解硅料资源紧缺作出了贡献。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 清洁 方法 | ||
【主权项】：
1、一种硅料清洁方法，其特征在于：按下列步骤完成：(1)硅料沉浸于氢氟酸和硝酸混合酸溶液中；(2)捞取浸渍后的硅料，用纯水多级冲洗；(3)将冲洗后的硅料浸泡于纯水；(4)测定纯水浸泡液的电导率；(5)捞取硅料，烘干。
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