[发明专利]一种废硅料清洗方法无效

专利信息
申请号: 200610050726.1 申请日: 2006-05-12
公开(公告)号: CN1947870A 公开(公告)日: 2007-04-18
发明(设计)人: 吴云才 申请(专利权)人: 浙江昱辉阳光能源有限公司
主分类号: B08B3/08 分类号: B08B3/08;B08B3/02;B08B3/04;C23G1/14;C23G1/24
代理公司: 浙江杭州金通专利事务所有限公司 代理人: 徐关寿
地址: 314117浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明属于半导体材料清洗处理技术领域,特别涉及对废硅料去除表面污物的废硅料清洗方法,包括下列步骤:(1)硅料投放于碱液中浸泡;(2)待碱液中硅料上浮时,捞取硅料,用纯水冲洗并沥干;(3)投放于第二个碱液中浸泡;(4)待碱液中硅料上浮时,捞取硅料,用纯水冲洗并沥干;(5)投放于盐酸、过氧化氢的混合溶液中浸泡,压缩空气鼓泡;(6)将中和液中浸泡的硅料投放于纯水中浸泡,捞取并烘干。经本发明清洗后的废硅料完全清除了硅料表层的污染物,清洗过的废硅料符合制作半导体元器件的清洁要求。
搜索关键词: 一种 废硅料 清洗 方法
【主权项】:
1、一种废硅料清洗方法,其特征在于:包括下列步骤:(1)硅料投放于碱液中浸泡;(2)待碱液中硅料上浮时,捞取硅料,用纯水冲洗并沥干;(3)投放于第二个碱液中浸泡;(4)待碱液中硅料上浮时,捞取硅料,用纯水冲洗并沥干;(5)投放于盐酸、过氧化氢的混合溶液中浸泡,压缩空气鼓泡;(6)将中和液中浸泡的硅料投放于纯水中浸泡,捞取并烘干。
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