[发明专利]一种直接法合成三烷氧基硅烷单体中的副产物的综合利用法无效
| 申请号： | 200610050812.2 | 申请日： | 2006-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN1899962A | 公开（公告）日： | 2007-01-24 |
| 发明（设计）人： | 伍川;蒋剑雄;来国桥;倪勇;华西林 | 申请（专利权）人： | 杭州师范学院 |
| 主分类号： | C01B33/18 | 分类号： | C01B33/18;C07F7/02 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司 | 代理人： | 俞润体;朱实 |
| 地址： | 310036浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种直接法合成三烷氧基硅烷单体过程中产生的副产物的综合利用方法。本发明需要克服的技术问题是提供一种以副产物为原料生产纳米二氧化硅的新方法，该方法不会释放出氯化氢，工艺简单，且反应过程中生成的热量能被循环利用，更易于实现工业化放大生产。本发明的特征在于将直接法合成三烷氧基硅烷单体中的副产物汽化后与氢气、空气一起连续燃烧，进行高温缩聚反应，得到纳米二氧化硅粗产品和炽热气体；纳米二氧化硅粗产品经过聚集，旋风气固分离及干燥后处理工艺，制得纳米二氧化硅产品；炽热气体所携带的热量为副产物的汽化和粗产品的干燥提供热量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 直接 合成 三烷氧基 硅烷 单体 中的 副产物 综合利用 | ||
【主权项】：
1、一种直接法合成三烷氧基硅烷单体中的副产物的综合利用法，其特征在于将直接法合成三烷氧基硅烷单体中的副产物汽化并与氢气混合后在空气中连续燃烧，进行高温缩聚反应，得到纳米二氧化硅粗产品和炽热气体；纳米二氧化硅粗产品经过聚集，旋风气固分离及干燥后处理工艺，制得纳米二氧化硅产品；炽热气体所携带的热量为副产物的汽化和粗产品的干燥提供热量；所述的副产物是四烷氧基硅烷，烷基三烷氧基硅烷，二烷氧基二氢硅烷中的一种或它们的混合物；其中，四烷氧基硅烷为Si(CH3O)4，Si(C2H5O)4，Si(C3H7O)4，Si(C4H9O)4中的一种或它们的混合物，烷基三烷氧基硅烷为CH3Si(CH3O)3，C2H5Si(C2H5O)3，C3H7Si(C3H7O)3，C4H9Si(C4H9O)3中的一种或它们的混合物，二烷氧基二氢硅烷为H2Si(CH3O)2，H2Si(C2H5O)2，H2Si(C3H7O)2，H2Si(C4H9O)2中的一种或它们的混合物。
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