[发明专利]包括层叠电容器的半导体器件无效
| 申请号： | 200610051393.4 | 申请日： | 2006-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN1819209A | 公开（公告）日： | 2006-08-16 |
| 发明（设计）人： | 星野晶 | 申请（专利权）人： | 尔必达存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L27/102;H01L27/10;H01L27/00;H01L21/8242;H01L21/8222;H01L21/82;H01L21/02;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;钟强 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种形成在电容器孔内的层叠电容器包括下电极、电容器绝缘膜和上电极。下电极包括形成在下部绝缘膜上的多个岛、以及覆盖下部绝缘膜上的各岛的金属膜。下电极的较大表面增加了层叠电容器的电容。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 层叠 电容器 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其包括衬底、覆盖在所述衬底上的绝缘膜以及层叠电容器，该层叠电容器包括连续淀积的下电极、电容器绝缘膜和上电极，其中所述下电极包括形成在所述绝缘膜上的多个岛以及覆盖所述缘膜上的所述岛的金属或合金膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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