[发明专利]有机电致发光显示单元有效
申请号: | 200610051487.1 | 申请日: | 2006-02-28 |
公开(公告)号: | CN1832194A | 公开(公告)日: | 2006-09-13 |
发明(设计)人: | 姚智文 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波;侯宇 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供了一种有机电致发光显元单元,其包括基板、第一非晶硅层、栅极金属、第二非晶硅层、第一钝化层以及有机电致发光二极管。第一非晶硅层设置于基板上,且包括第一沟道区、第一源/漏极区与第二源/漏极区。栅极金属设置于第一沟道区的上方。第二非晶硅层包括第二沟道区、第三源/漏极区与第四源/漏极区,其中第二沟道区位于栅极金属的上方。第一钝化层将第一非晶硅层、栅极金属与第二非晶硅层覆盖于基板上。有机电致发光二极管设置于第一钝化层上,且电连接于该第一源/漏极金属与该第三源/漏极金属。 | ||
搜索关键词: | 有机 电致发光 显示 单元 | ||
【主权项】:
1.一种有机电致发光显元单元,包括:基板;第一非晶硅层,设置于该基板上,该第一非晶硅层包括中间的第一沟道区、两端的第一源/漏极区与第二源/漏极区;栅极金属,设置于该第一沟道区的上方;第二非晶硅层,包括中间的第二沟道区、两端的第三源/漏极区与第四源/漏极区,其中该第二沟道区位于该栅极金属的上方;第一源/漏极金属、第二源/漏极金属,分别接触于该第一非晶硅层的该第一源/漏极区与该第二源/漏极区;第三源/漏极金属、第四源/漏极金属,分别接触于该第二非晶硅层的该第三源/漏极区与该第四源/漏极区,且该第三源/漏极金属及该第四源/漏极金属,分别与该第一源/漏极金属及该第二源/漏极金属电连接;第一钝化层,覆盖该第一非晶硅层14、该栅极金属与该第二非晶硅层;以及有机电致发光二极管,设置于该第一钝化层上且电连接于该第一源/漏极金属,其中,该第一、第二、第三及第四源/漏极金属,分别与该栅极金属有部份重叠。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的