[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法有效
| 申请号： | 200610051490.3 | 申请日： | 2006-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN1832149A | 公开（公告）日： | 2006-09-13 |
| 发明（设计）人： | 李淑琴;胡冠彣;杨智钧;江怡禛;黄国有 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L21/768;H01L27/12;H01L23/522;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明关于一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法，该制造方法包含下列步骤：形成薄膜晶体管于基板的有源区域之上与接触垫于基板的外围区域之上。依序形成无机绝缘层与有机绝缘层覆盖薄膜晶体管与接触垫。图案化有机绝缘层。再以六氟化硫/氧气蚀刻未被有机绝缘层覆盖的无机绝缘层，以形成具有第一倾斜侧壁的第一接触窗于外围区域上及具有第二倾斜侧壁的第二接触窗于有源区域上，并残留部分的有机绝缘层于外围区域之上。其中该六氟化硫/氧气的流量比大致上介于0.33～0.42之间。形成图案化导体保护层于接触窗上。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包含：形成至少一个薄膜晶体管于基板的有源区域上与至少一个接触垫于该基板的外围区域之上，且该薄膜晶体管具有栅极、源极与漏极；形成无机绝缘层覆盖该薄膜晶体管与该接触垫；形成有机绝缘层于该无机绝缘层上；图案化该有机绝缘层以形成至少一个第一接触窗及至少一个第二接触窗，并分别暴露出位于该接触垫上及该漏极上的该无机绝缘层，且该外围区域上的该有机绝缘层的厚度小于该有源区域上的该有机绝缘层的厚度；以六氟化硫/氧气蚀刻该有机绝缘层及该接触窗所暴露的该无机绝缘层至暴露出该接触垫及该源/漏极为止，以形成具有第一倾斜侧壁的该第一接触窗于该接触垫上及具有第二倾斜侧壁的该第二接触窗，并残留部分该有机绝缘层于该外围区域之上，其中该六氟化硫/氧气的流量比大致上介于0.33～0.42之间；以及形成图案化导体保护层于该接触窗上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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