[发明专利]半导体晶体管元件及其制作方法有效
| 申请号： | 200610051493.7 | 申请日： | 2006-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN101030541A | 公开（公告）日： | 2007-09-05 |
| 发明（设计）人： | 丁世汎;黄正同;洪文瀚;郑子铭;沈泽民;盛义忠 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/8238;H01L29/78;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种制作金属氧化物半导体(MOS)晶体管元件的方法，特征在结合具有不同应力(stress)作用下(压缩或伸张)的氮化硅盖层以及一额外的浅沟绝缘层的回蚀刻步骤，使N或P型金属氧化物半导体场效应晶体管元件可以同时具有较高电流增益，藉以改善半导体晶体管元件的操作效能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶体管 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作MOS晶体管元件的方法，包括：提供一半导体衬底，其具有一有源区域，其中该有源区域由一浅沟绝缘结构所隔离；于该有源区域上形成一栅极介电层；于该栅极介电层上形成一栅极，该栅极具有一侧壁以及一上表面；于该栅极的该侧壁上形成一衬垫层；于该衬垫层上形成一氮化硅间隙壁；利用该栅极以及该氮化硅间隙壁作为注入掩模，对该有源区域进行一离子注入工艺，藉此于该主表面的该栅极两侧形成一漏极/源极区域；于该栅极的该上表面以及该漏极/源极区域上形成一硅化金属层；进行一蚀刻工艺，去除一预定厚度的该浅沟绝缘结构，以于该有源区域的周缘形成一高度落差h；去除该氮化硅间隙壁；以及形成与该衬垫层直接接壤的一应力层，且该应力层具有一特定的应力状态，且延伸至该浅沟绝缘结构上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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