[发明专利]具有电荷捕获存储单元的半导体存储器及其制造方法

摘要

具有电荷捕获存储单元的半导体存储器，其中存储晶体管的每个沟道区的电流方向横切于相关的字线，所述位线被布置在所述字线的顶侧上并以一种方式与后者电绝缘，而且设有源－漏区的导电局部互连，该局部互连被安排在所述字线之间的间隙中的部分内，并以一种方式与后者电绝缘和被连接到所述位线上，其中栅电极被布置在至少部分地形成在存储器衬底内的槽中。

主权项

1.具有电荷捕获存储单元的存储器，包括：一个衬底；多个导电字线；多个存储单元，所述存储单元包括多个浅槽隔离、由所述浅槽隔离所限定的多个源/漏区、由字线的相应部分构成且与相邻源/漏区之间的衬底相对以形成多个沟道区的多个栅电极，所述栅电极通过捕获电介质与所述源/漏区隔离，且其中所述栅电极被布置在至少部分地形成在所述衬底内的槽中。