[发明专利]半导体晶片的定位方法及使用其的装置有效
| 申请号： | 200610051536.1 | 申请日： | 2006-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN1828860A | 公开（公告）日： | 2006-09-06 |
| 发明（设计）人： | 池田谕;山本雅之 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 对应于结合到半导体晶片表面的保护带类型的预定波长光强由控制器来调节，并且用于支撑半导体晶片的支撑台被旋转扫描。同时，在形成在半导体晶片中的用于定位的V型切口中，光穿透遮盖表面的保护片，由光传感器接收。基于光传感器的光接收量中的变化，检测点的位置被指定。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 定位 方法 使用 装置 | ||
【主权项】：
1.一种用于检测在加有保护层并大体为圆盘状的半导体晶片的边缘提供的定位用的检测点、并且利用所述检测结果确定所述半导体晶片的处理位置的方法，所述方法包括如下步骤：从光投射装置向加有保护层的半导体晶片投射对应于所述保护层的预定波长光；调节投射到所述半导体晶片表面上的光强；通过与所述光投射装置对置的光接收装置，接收从所述光透射装置透射到所述半导体晶片的光，其中所述半导体晶片置于所述光透射装置与所述光接收装置之间；基于所述光接收装置中光接收量的改变，确定在半导体晶片边缘提供的检测点的位置；以及使用从确定步骤的确定结果中所获检测点的位置信息，定位所述半导体晶片的处理位置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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