[发明专利]垂直磁记录介质有效
| 申请号： | 200610051567.7 | 申请日： | 2006-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN1845241A | 公开（公告）日： | 2006-10-11 |
| 发明（设计）人： | 久保木孔之 | 申请（专利权）人： | 富士电机电子设备技术株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/667 | 分类号： | G11B5/667 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明一目的是提供一种具有软磁垫层的垂直磁记录介质，其中钴的流出量被抑制，而无需对保护层的结构加以限制。本发明的垂直磁记录介质包括：依次层压到非磁性衬底上的至少一软磁垫层、磁记录层和保护层，软磁垫层包括铁和钴，并且还包括从Si、Ni、Ta、Nb、Zr、Ti、Cr、Mo和B中选择出的至少两种元素，软磁垫层的表面粗糙度在中线平均粗糙度的0.2nm到0.8nm的范围中。较好地，软磁垫层中的铁浓度在40％原子百分数到85％原子百分数的范围内，钴浓度在10％原子百分数到45％原子百分数的范围内，并且Si、Ni、Ta、Nb、Zr、Ti、Cr、Mo和B的总浓度在20％原子百分数到50％原子百分数的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 记录 介质 | ||
【主权项】：
1.一种垂直磁性记录介质，包括依次层压到非磁性衬底上的至少软磁性垫层、磁性记录层和保护层，所述软磁性垫层包含铁和钴，并且还包含从Si、Ni、Ta、Nb、Zr、Ti、Cr、Mo和B中选出的至少两种元素，以及所述软性磁垫层的表面粗糙度在中心线平均粗糙度为0.2nm到0.8nm的范围中。
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