[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

彼特线绝缘膜形成后不大幅度扩散彼特线扩散层，充分确保连接部的面积，在该连接部抑制扩散层阻抗增大的同时，谋求存储单元的精细化。半导体装置，具有形成在半导体衬底(1)上部的，分别沿行的方向延伸的复数层彼特线扩散层(2)，在上述各彼特线扩散层(2)上分别形成的复数层彼特线绝缘膜(3)，在各彼特线扩散层(2)之间形成的复数层栅极绝缘膜(10)以及在各彼特线绝缘膜(3)及各栅极绝缘膜(3)交叉的复数条字线(4)。在半导体衬底(1)的上部，形成了具有与各彼特线扩散层(2)分别电连接的连接部(6a)的复数层连接扩散层(6)，在半导体衬底(1)中各连接部(6a)的上表面，比各连接扩散层(6)的上表面低。

主权项

1.一种半导体装置，包括：形成在半导体区域上的，分别沿行的方向延伸的复数层彼特线扩散层、在上述各彼特线扩散层上分别形成的复数层彼特线绝缘膜、在上述半导体区域上相互相邻的上述各彼特线扩散层之间形成的复数层栅极绝缘膜、以及在上述半导体区域上分别沿列的方向形成且与上述各彼特线绝缘膜及各栅极绝缘膜交叉的复数条字线；并且在上述各栅极绝缘膜和上述各字线的交叉部上形成存储单元，其特征为：在上述半导体区域的上部，形成了具有分别与上述各彼特线扩散层电连接的连接部的复数层连接扩散层，上述半导体区域上的上述各连接部的上表面，比上述各连接扩散层的上表面低。