[发明专利]晶体管、其制造方法及电光学装置用基板无效
| 申请号： | 200610051595.9 | 申请日： | 2006-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN1841773A | 公开（公告）日： | 2006-10-04 |
| 发明（设计）人： | 岛田浩行 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种晶体管，具备绝缘基板(10)，在绝缘基板(10)上形成的、包含沟道区(100)和源极及漏极区(40a、40b)的半导体膜，在沟道区(100)上设置的栅电极(32)。而且，半导体膜，具备在所述沟道区(100)和所述源极及极漏区(40a、40b)之间，分别低浓度注入杂质后构成的低浓度区域(70a、70b)；源极及漏极区(40a、40b)，与低浓度区域(70a、70b)相比，包含高浓度注入杂质的高浓度区域；低浓度区域(70a、70b)的至少一部分，沿着在绝缘基板(10)上形成的槽(10a、10b)的内壁面形成。提供在具备耐压性的同时，还能细微化的晶体管、其制造方法及电光学装置用基板。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 制造 方法 光学 装置 用基板 | ||
【主权项】：
1、一种晶体管，其特征在于，具备：支承基板；在所述支承基板上设置的基底绝缘膜上形成的、包含沟道区和源极及漏极区的半导体膜；以及在所述沟道区上设置的栅电极，所述半导体膜，具备在所述沟道区与所述源极及漏极区之间分别低浓度注入杂质后构成的低浓度区域，所述源极及漏极区，与所述低浓度区域相比，包含高浓度注入杂质的高浓度区域，所述低浓度区域的至少一部分，沿着在所述支承基板上形成的槽的内壁面而形成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于精工爱普生株式会社，未经精工爱普生株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610051595.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：数据处理方法与系统
- 下一篇：将传动装置过滤器与泵连接的方法和装置
- 同类专利
- 专利分类
