[发明专利]重掺硼直拉硅片的基于快速热处理的内吸杂工艺有效
| 申请号： | 200610051834.0 | 申请日： | 2006-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN1884638A | 公开（公告）日： | 2006-12-27 |
| 发明（设计）人： | 杨德仁;马向阳;符黎明;阙端麟 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了重掺硼直拉硅片的基于快速热处理的内吸杂工艺，步骤如下：1)将重掺硼硅片清洗后先在氩气氛下于1200－1280℃热处理5－50秒，然后保持温度不变，将处理气氛变换成氧气，继续热处理5－50秒，最后在氧气氛下冷却；或者先在氩气氛下于1200－1280℃热处理5－50秒，冷却后，再在氧气氛下于1200－1280℃热处理5－50秒；2)将经过步骤1)处理的重掺硼硅片在氩气氛下，先在800℃下退火4小时，然后再在1000℃下退火16小时。本发明采用变换保护气氛的高温快速热处理和低、高温度下两步退火，可以有效地实现重掺硼硅片的内吸杂结构，这种内吸杂结构在后续处理过程中很稳定，并且热周期短，重复性好。 | ||
| 搜索关键词： | 重掺硼直拉 硅片 基于 快速 热处理 杂工 | ||
【主权项】：
1.重掺硼直拉硅片的基于快速热处理的内吸杂工艺，其特征是包括以下步骤：1)将重掺硼硅片清洗后先在氩气氛下于1200-1280℃热处理5-50秒，然后保持温度不变，将处理气氛变换成氧气，继续热处理5-50秒，最后在氧气氛下冷却；或者先在氩气氛下于1200-1280℃热处理5-50秒，冷却后，再在氧气氛下于1200-1280℃热处理5-50秒；2)将经过步骤1)处理的重掺硼硅片在氩气氛下，先在800℃下退火4小时，然后再在1000℃下退火16小时。
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