[发明专利]一种高饱和磁通密度MnZn铁氧体的烧结方法有效
| 申请号： | 200610051942.8 | 申请日： | 2006-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN101090016A | 公开（公告）日： | 2007-12-19 |
| 发明（设计）人： | 颜冲;吕东华;包大新;何时金 | 申请（专利权）人： | 横店集团东磁有限公司 |
| 主分类号： | H01F1/10 | 分类号： | H01F1/10;H01F1/34 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司 | 代理人： | 尉伟敏 |
| 地址： | 322118浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高饱和磁通密度MnZn铁氧体的烧结方法；该方法由以下步骤构成：a.第一个升温阶段：b.第二个升温阶段，c.保温阶段，d.降温阶段构成；本发明的烧结方法由于在升温、保温和降温的整个烧结过程中通过对温度和氧分压的控制，能够大大提高MnZn铁氧体的饱和磁通密度；应用本发明的烧结方法制备高饱和磁通密度MnZn铁氧体无需添加昂贵的辅助成分，而且烧结工艺简单，大大降低了MnZn铁氧体的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 饱和 密度 mnzn 铁氧体 烧结 方法 | ||
【主权项】：
1、一种高饱和磁通密度MnZn铁氧体的烧结方法，该方法由以下步骤构成：a、第一个升温阶段：该阶段在1小时到6小时的时间内将温度从室温升高到600℃～800℃，升温阶段在大气气氛中进行；b、第二个升温阶段，该阶段在3小时到8小时的时间内将温度从600℃～800℃升高到1100～1450℃，升温阶段的氧分压维持在0.001～2％；c、保温阶段，该阶段将温度维持在1100～1450℃，保温时间为30分钟到10小时，氧分压维持在2～10％；d、降温阶段，该阶段在6小时到20小时的时间内将温度从1100～1450℃降到100℃，降温过程维持平衡氧分压。
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