[发明专利]一种高饱和磁通密度低损耗MnZn功率铁氧体及其制备方法有效
| 申请号： | 200610051943.2 | 申请日： | 2006-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN101090017A | 公开（公告）日： | 2007-12-19 |
| 发明（设计）人： | 吕东华;颜冲;包大新;何时金 | 申请（专利权）人： | 横店集团东磁有限公司 |
| 主分类号： | H01F1/10 | 分类号： | H01F1/10;H01F1/34 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司 | 代理人： | 尉伟敏 |
| 地址： | 322118浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高饱和磁通密度低损耗MnZn功率铁氧体及其制备方法；本发明通过精确控制材料的成分和制备方法，研制出功耗谷点在90℃，在100kHz，200mT的条件下功耗小于等于260mW/cm3，在1000A/m，50Hz的条件下25℃的饱和磁通密度大于等于530mT，在1000A/m，50Hz的条件下100℃的饱和磁通密度大于等于420mT的MnZn功率铁氧体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 饱和 密度 损耗 mnzn 功率 铁氧体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高饱和磁通密度低损耗MnZn功率铁氧体，该铁氧体包括如下按摩尔百分比的成分：Fe2O3： 51～53mol％；MnO： 34～43mol％；ZnO： 6～13mol％。
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