[发明专利]一种薄膜微参比电极的制备方法无效

专利信息
申请号: 200610052301.4 申请日: 2006-07-05
公开(公告)号: CN1885019A 公开(公告)日: 2006-12-27
发明(设计)人: 孙雪洁;王敏 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: G01N27/30 分类号: G01N27/30
代理公司: 杭州中成专利事务所有限公司 代理人: 盛辉地
地址: 310027浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 一种制备薄膜微参比电极的方法,其特征是利用化学镀和电镀相结合的方法沉积银层,包括对玻璃基体表面进行清洗,利用光刻的方法加工制得带有电极形状的薄膜;用玻璃刻蚀液进行刻蚀,用敏化反应溶液对刻蚀过的基体表面进行敏化;用化学镀进行银层的沉积,对化学镀银玻璃芯片再进行电镀,烧结;用化学氧化的方法对银层氧化,在饱和AgCl溶液中浸泡,晾干,固化等步骤。本发明方法简单,易操作。具有低成本,高效率等优点。
搜索关键词: 一种 薄膜 参比电极 制备 方法
【主权项】:
1、一种制备薄膜微参比电极的方法,其特征是利用化学镀和电镀相结合的方法沉积银层,步骤如下:●用洗涤剂、王水、重铬酸钾、去离子水依次对玻璃基体表面进行清洗,利用光刻的方法加工得到阳模,并进一步制得带有电极形状的聚二甲基硅氧烷薄膜;●烘干后将带有电极形状的PDMS薄膜紧密贴附在玻璃芯片表面可逆封合,对玻璃基体表面进行区域限制,规定电极的形状和尺寸;●向通道中注入玻璃刻蚀液对玻璃通道部分进行刻蚀,进一步选择性增强玻璃的亲水性;●用敏化反应溶液对刻蚀过的基体表面进行敏化,用去离子水冲洗,以促进化学镀反应;●将经过敏化玻璃基体放入化学镀银液中用化学镀进行银层的沉积,控制镀液的温度为25~30℃,用去离子水冲洗表面,将玻璃芯片放入程序升温炉中,通入氮气,90~100℃下恒温0.5~1小时,获化学镀银玻璃芯片;●将化学镀银玻璃芯片进行电镀,沉积银层用银丝导出与稳压电源的阴极相连,阳极为银丝,电压为0.5~1.0V,电流为0.1~0.5A,通电5~15s之后,将玻璃芯片轻轻取出放入程序升温炉中,通入氮气,300~500℃下恒温0.5~2小时烧结,继续通入氮气直至冷却至室温,获化学、电镀银玻璃芯片;●将化学、电镀银玻璃芯片用化学氧化的方法对银层进行部分氧化,在银层表面滴加氧化剂溶液至润湿状态,或将银层浸入到氧化剂溶液中,晾干,用去离子水清洗电极表面,在饱和AgCl溶液中浸泡20~26小时,晾干,固化,获薄膜微参比电极。
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