[发明专利]一种超低介电常数聚酰亚胺膜及其制备方法无效
| 申请号： | 200610053038.0 | 申请日： | 2006-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN1911985A | 公开（公告）日： | 2007-02-14 |
| 发明（设计）人： | 朱宝库;楚晖娟;张梅;徐又一 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C08J5/18 | 分类号： | C08J5/18;C08L79/08 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 张法高 |
| 地址： | 310027*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超低介电常数聚酰亚胺膜及其制备方法。所述聚酰亚胺膜的特征为：膜内部为大小在5－2000纳米的蜂窝结构，两个皮层致密无孔，膜厚度为10－200微米，孔隙率为30－85％。所述超低介电常数聚酰亚胺膜制备方法的步骤为：(1)将聚酰亚胺前体聚酰胺酸溶解于极性溶剂中配成质量浓度为10－30％的制膜液；(2)在支撑体上将制膜液流延、刮制成厚度为50－500微米的液膜；(3)将液膜浸入凝固浴中固化成聚酰胺酸膜；(4)经清洗剂浸泡、清洗、干燥后得到具有蜂窝结构的聚酰胺酸前体膜；(5)将聚酰胺酸前体膜经100－300℃下热处理亚胺化为具有蜂窝结构的聚酰亚胺膜，得到的聚酰亚胺膜介电常数在1.45－2.50之间，是一种具有超低介电常数的介电材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 介电常数 聚酰亚胺 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种超低介电常数聚酰亚胺膜，其特征在于，它具有如下通式表示的重复单元结构，![]()
其中，Ar1结构为：![]()
Ar2结构为：![]()
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