[发明专利]负压进样三维芯片毛细管阵列电泳系统无效
申请号: | 200610053141.5 | 申请日: | 2006-08-25 |
公开(公告)号: | CN1908647A | 公开(公告)日: | 2007-02-07 |
发明(设计)人: | 殷学锋;张磊 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | G01N27/453 | 分类号: | G01N27/453;G01N21/64 |
代理公司: | 杭州中成专利事务所有限公司 | 代理人: | 盛辉地 |
地址: | 310027浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明的电泳系统包括一块含有多个毛细管电泳分离单元的三维毛细管阵列电泳微芯片,一个用微型真空泵作为负压源的负压进样和分离的装置,一个高压直流电源和一个激光荧光检测系统。仅用一个微流控芯片负压进样和分离的装置和一个高压直流电源就能完成阵列芯片毛细管电泳分析系统多重平行的分析测定,大大降低了阵列芯片毛细管电泳系统的制作成本,并且操作方便、安全、进样速度快,重现性好。 | ||
搜索关键词: | 负压进样 三维 芯片 毛细管 阵列 电泳 系统 | ||
【主权项】:
1、一种负压进样三维芯片毛细管阵列电泳系统,其特征在于:系统包括含有多个毛细管电泳分离单元的三维毛细管阵列电泳微芯片,微型真空泵作为负压源的负压进样和分离的装置,高压直流电源和激光荧光检测系统组成。所述三维毛细管阵列电泳微芯片由三层基片制成,在上层基片上有公共的缓冲液池BT、公共的缓冲液废液池BWT、各样品溶液池S1-Sn和公共的样品废液池SWT;在中间一层的基片上有多个毛细管电泳分离单元的通道网络,每个分离单元均由一条分离泳道和一条进样通道组成,分离泳道的进口端通过一根公共的缓冲液通道Bbus联接在一起,并通过在上层基片相应位置处的小孔与公共的缓冲液池BT联在一起,分离泳道的出口端通过在上层的基片相应位置处的小孔与缓冲液废液池BWT相连通,每条进样通道的进口端也与上层的基片相应位置处各样品溶液池S1-Sn相连通;在底层基片上有一条公共的样品废液通道SWbus,各个分离单元中的进样通道出口端通过加工在中层基片上的小孔和位于底层基片上的公共样品废液通道连接在一起,并通过上层和中层玻璃基片的相应位置小孔,使位于底层基片的公共的样品废液通道与置于上层基片的公共的样品废液池SWT相通;所述负压进样装置由微型真空泵、真空瓶、电触点真空表、三通电磁阀、定时器,接口组成,通过接口与公共的样品废液池SWT相连;所述高压直流电源的正、负极与公共的缓冲液池BT与缓冲液废液池BWT中的电泳缓冲溶液相连接;所述激光荧光检测系统由电荷偶合检测装置、滤色片、激光器、和透镜组成。
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