[发明专利]在玻璃基板上沉积TiN薄膜的方法

摘要

本发明公开的在玻璃基板上沉积TiN薄膜的方法，其步骤如下：将经清洗的玻璃基板放入化学气相沉积装置反应室的石墨支架上，反应室抽真空至－0.02Mpa，并通入N₂对反应室进行清洗；调节进气管道喷头和玻璃基板之间的距离范围为5～25cm；向反应室通入TiCl₄、NH₃和N₂反应气体，在600℃的温度条件下进行沉积，沉积完毕，停止通入气体，冷却即可。本发明工艺简单，通过调节喷头和基板间的距离，可以方便地控制沉积在玻璃基板上TiN薄膜的电阻率及表面形貌、光学性能等。

主权项

1.在玻璃基板上沉积TiN薄膜的方法，步骤如下：1)用10％的氢氟酸清洗玻璃基板；2)将玻璃基板放入化学气相沉积装置反应室的石墨支架上，反应室抽真空至-0.02Mpa，并通入N2对反应室进行清洗；3)调节进气管道喷头和玻璃基板之间的距离范围为5～25cm；4)将反应室加热至600℃；5)将TiCl4、NH3和N2反应气体通入反应室，其中TiCl4的流量为300sccm，NH3的流量为150sccm，N2的流量为900sccm，反应室的压强为-0.02MPa，在600℃的温度条件下进行沉积，反应时间为90s，沉积完毕，停止通入气体，冷却即可。