[发明专利]一种ZnO基量子点发光二极管无效
| 申请号： | 200610053608.6 | 申请日： | 2006-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN1925178A | 公开（公告）日： | 2007-03-07 |
| 发明（设计）人： | 叶志镇;曾昱嘉 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开的ZnO基量子点发光二极管是以ZnO为基，在衬底的一面自下而上依次沉积n－ZnO薄膜层、n－Zn1－xMgxO薄膜层、ZnO量子点层、p－Zn1－xMgxO薄膜层、p－ZnO薄膜层和第二电极，在衬底的另一面沉积第一电极构成，其中的ZnO量子点层由嵌于ZnO/Zn1－yMgyO量子阱层的ZnO量子点构成。本发明的发光二极管以ZnO量子点作为有源层，发光效率高；ZnO同质结结构，界面晶格匹配性好，有利于提高器件的性能；通过对ZnO量子点尺寸的调节，可得不同波段的出射光，制得紫外光、紫光或蓝光等多种发光器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 zno 量子 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种ZnO基量子点发光二极管，其特征是以ZnO为基，在衬底(1)的一面自下而上依次沉积有n-ZnO薄膜层(2)、n-Zn1-xMgxO薄膜层(3)、ZnO量子点层(4)、p-Zn1-xMgxO薄膜层(5)、p-ZnO薄膜层(6)和第二电极(8)，在衬底(1)的另一面沉积有第一电极(7)，其中ZnO量子点层(4)由嵌于ZnO/Zn1-yMgyO量子阱层的ZnO量子点构成，y值为0～0.5。
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