[发明专利]一种硅纳米线的制作方法无效
| 申请号： | 200610053849.0 | 申请日： | 2006-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN1958436A | 公开（公告）日： | 2007-05-09 |
| 发明（设计）人： | 王慧泉;金仲和;郑阳明;王跃林;李铁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B82B3/00 |
| 代理公司： | 杭州中成专利事务所有限公司 | 代理人： | 陈祯祥 |
| 地址： | 310027浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅纳米线的制作方法。主要利用氢氟酸或含氢氟酸水溶液对掺杂形成p－n结结构n型硅的选择性腐蚀实现两维尺寸可精确控制的硅纳米线的工艺简单、可靠及批量制作。利用该方法制作硅纳米线，通过改变设计参数及腐蚀时间，可以制作两维尺寸10纳米左右的硅纳米线；通过图形设计，可以制作出多种以硅纳米线为基础的纳机电器件。使用本发明制作的硅纳米线，可以研究低维半导体材料的力学、电学等特性；制作多种纳机电器件，应用前景广阔。本发明工艺简单，制作成本低，并可批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种硅纳米线的制作方法，其特征是利用氢氟酸或含氢氟酸水溶液腐蚀掺杂形成p-n结结构n型硅的选择性腐蚀工艺实现硅纳米线制作。
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