[发明专利]一种改善氮化镓功率晶体管散热性能的方法无效
| 申请号： | 200610053869.8 | 申请日： | 2006-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN1937188A | 公开（公告）日： | 2007-03-28 |
| 发明（设计）人： | 程知群;孙玲玲 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L23/36 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 张法高 |
| 地址： | 310018浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种提高氮化镓功率晶体管散热性能的方法。目前氮化镓功率晶体管不能同时保证低成本和高散热性。本发明该方法步骤为：在蓝宝石基底上外延生长氮化镓功率晶体管材料，研制成蓝宝石衬底氮化镓功率晶体管；把研制好的氮化镓功率晶体管正面粘贴在另一个基底载体上，采用溶剂可以溶解的粘结剂；用激光从氮化镓晶体管的背面蓝宝石上照射，使得蓝宝石与氮化镓功率晶体管脱离；分离后的氮化镓功率晶体管粘结在导热性好的材料上；将氮化镓功率晶体管置于溶剂里，粘结剂将被溶剂溶解，基底载体与氮化镓功率晶体管脱离。本发明在保证良好的外延氮化镓材料和低成本的前提下提高了器件的散热效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 氮化 功率 晶体管 散热 性能 方法 | ||
【主权项】：
1、一种改善氮化镓功率晶体管散热性能的方法，其特征在于该方法包括以下步骤：(1)在蓝宝石基底上外延生长氮化镓功率晶体管材料，利用微电子加工工艺研制成蓝宝石衬底氮化镓功率晶体管；(2)把研制好的氮化镓功率晶体管正面粘贴在另一个基底载体上，采用溶剂可以溶解的粘结剂，该粘结剂即可以将氮化镓功率晶体管和基底材料容易粘结，又可以通过溶剂溶解掉实现分离；(3)用波长100nm～800nm的激光从氮化镓晶体管的背面蓝宝石上照射，使得蓝宝石与氮化镓功率晶体管脱离；(4)分离后的氮化镓功率晶体管粘结在导热性好的材料上，采用的粘结剂要求不溶于溶剂，而且有良好的导热性；(5)将氮化镓功率晶体管置于溶剂里，氮化镓功率晶体管与基底载体之间的粘结剂将被溶剂溶解，基底载体与氮化镓功率晶体管脱离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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