[发明专利]压力传感器硅谐振膜的制造方法无效
| 申请号： | 200610054435.X | 申请日： | 2006-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN1899952A | 公开（公告）日： | 2007-01-24 |
| 发明（设计）人： | 冯建;徐俊;吴建 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 400060重*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种压力传感器硅谐振膜的制造方法，用于微电子机械系统(MEMS)压力传感器中的硅悬梁的制作。该方法步骤包括：1.将第一和第二原始硅片进行加工，形成带硅谐振膜的SOI硅片；2.在第三原始双面抛光硅片上进行加工，形成有图形的硅衬底片；3.将所述有图形的硅衬底片与所述SOI硅片进行键合，形成键合片；4.对键合片采用减薄、腐蚀、漂SiO2层工艺进行处理，暴露出在有图形的硅衬底上的所述硅谐振膜。采用本发明的方法，可获得不易破裂的压力传感器硅谐振膜，且制作出的硅谐振膜厚度薄，均匀性好，能大大提高压力传感器硅谐振膜制作的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 压力传感器 谐振 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种压力传感器硅谐振膜的制造方法，其包括以下步骤：(1)将第一和第二原始硅片进行加工，形成带硅谐振膜的SOI硅片；(2)在第三原始双面抛光硅片上进行加工，形成有图形的硅衬底片；(3)将所述有图形的硅衬底片与所述带硅谐振膜的SOI硅片进行键合，形成键合片；(4)对键合片采用减薄、腐蚀、漂SiO2层工艺进行处理，暴露出在有图形的硅衬底上的所述硅谐振膜。
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