[发明专利]光致抗蚀剂剥离液组合物以及光致抗蚀剂的剥离方法无效
申请号: | 200610054750.2 | 申请日: | 2006-03-10 |
公开(公告)号: | CN1831654A | 公开(公告)日: | 2006-09-13 |
发明(设计)人: | 大和田拓央;池上薰 | 申请(专利权)人: | 关东化学株式会社 |
主分类号: | G03F7/42 | 分类号: | G03F7/42 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 陈建全 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供光致抗蚀剂剥离液组合物、以及光致抗蚀剂和光致抗蚀剂变质层的剥离方法,其在半导体电路元件的制造工序中,对干蚀刻后残留的光致抗蚀剂以及光致抗蚀剂变质层等具有优良的剥离性;且不会对新型的布线材料和层间绝缘膜材料产生浸蚀。本发明所使用的光致抗蚀剂剥离液组合物含有:炔醇化合物和有机磺酸化合物之中的至少1种、以及多元醇及其衍生物之中的至少1种。 | ||
搜索关键词: | 光致抗蚀剂 剥离 组合 以及 方法 | ||
【主权项】:
1.一种光致抗蚀剂剥离液组合物,其含有炔醇化合物和有机磺酸化合物之中的至少1种、以及多元醇及其衍生物之中的至少1种。
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