[发明专利]多芯片型半导体装置及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200610054798.3 申请日: 2006-03-10
公开(公告)号: CN1835232A 公开(公告)日: 2006-09-20
发明(设计)人: 藤户弘志;高森靖博 申请(专利权)人: 株式会社理光
主分类号: H01L25/065 分类号: H01L25/065;H01L21/50
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 杨梧;王景刚
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及多芯片型半导体装置及其制造方法,所述多芯片型半导体装置设有装载在安装用基板上、具有规定功能的第1半导体集成电路芯片,以及集成电源电路的第2半导体集成电路芯片。该第2半导体集成电路芯片接受从外部供给的电源,用于向上述第1半导体集成电路芯片提供电力。将第2半导体集成电路芯片层叠在第1半导体集成电路芯片上之后,用树脂将该第1、第2半导体集成电路芯片模块化。通过将低电压工艺制造的半导体芯片和往该半导体芯片供给电源、集成了用高电压工艺制造的恒电压电源电路的恒电压芯片,收纳在芯片叠芯片形式的半导体基板上,在不增加安装面积状态下,能实现对输入电压的高耐压化。
搜索关键词: 芯片 半导体 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种多芯片型半导体装置,其特征在于:所述多芯片型半导体装置设有:第1半导体集成电路芯片,装载在安装用基板上,具有规定功能;以及第2半导体集成电路芯片,集成电源电路,接受从外部供给的电源,用于向上述第1半导体集成电路芯片提供电力;将上述第2半导体集成电路芯片层叠在上述第1半导体集成电路芯片上之后,用树脂将该第1、第2半导体集成电路芯片模块化。
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