[发明专利]插件结构及其制造方法、晶片级堆叠结构和封装结构无效

专利信息
申请号: 200610054947.6 申请日: 2006-02-27
公开(公告)号: CN1893053A 公开(公告)日: 2007-01-10
发明(设计)人: 李康旭;金玖星;权容载;马金希;韩成一 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L23/50;H01L25/065;H01L25/18;H01L21/60
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 李晓舒;魏晓刚
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种制造芯片嵌入型插件的方法,其可以包括:在硅衬底上形成至少一个凹腔,形成多个穿入所述硅衬底的通路,提供具有多个输入/输出焊盘的集成电路芯片,以及形成连接于所述输入/输出焊盘和通路的重布线导体。使用所述插件,可以在晶片的层次上组成具有不同种类的芯片的堆叠结构。
搜索关键词: 插件 结构 及其 制造 方法 晶片 堆叠 封装
【主权项】:
1.一种芯片嵌入型插件结构,包括:具有上表面和下表面的衬底;至少一个形成于所述衬底的所述上表面的凹腔;集成电路芯片,其具有多个输入/输出焊盘,且至少部分位于该至少一个凹腔内;多个穿入所述衬底的通路;以及连接于所述输入/输出焊盘和所述通路的重布线导体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200610054947.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top