[发明专利]插件结构及其制造方法、晶片级堆叠结构和封装结构无效
申请号: | 200610054947.6 | 申请日: | 2006-02-27 |
公开(公告)号: | CN1893053A | 公开(公告)日: | 2007-01-10 |
发明(设计)人: | 李康旭;金玖星;权容载;马金希;韩成一 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L23/50;H01L25/065;H01L25/18;H01L21/60 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 李晓舒;魏晓刚 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明涉及一种制造芯片嵌入型插件的方法,其可以包括:在硅衬底上形成至少一个凹腔,形成多个穿入所述硅衬底的通路,提供具有多个输入/输出焊盘的集成电路芯片,以及形成连接于所述输入/输出焊盘和通路的重布线导体。使用所述插件,可以在晶片的层次上组成具有不同种类的芯片的堆叠结构。 | ||
搜索关键词: | 插件 结构 及其 制造 方法 晶片 堆叠 封装 | ||
【主权项】:
1.一种芯片嵌入型插件结构,包括:具有上表面和下表面的衬底;至少一个形成于所述衬底的所述上表面的凹腔;集成电路芯片,其具有多个输入/输出焊盘,且至少部分位于该至少一个凹腔内;多个穿入所述衬底的通路;以及连接于所述输入/输出焊盘和所述通路的重布线导体。
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