[发明专利]防护胶膜框架有效
申请号: | 200610054952.7 | 申请日: | 2006-02-27 |
公开(公告)号: | CN1854891A | 公开(公告)日: | 2006-11-01 |
发明(设计)人: | 关原一敏 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | G03F1/14 | 分类号: | G03F1/14;G03F1/00;B29C41/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 魏晓刚;李晓舒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供贴附于光罩后很容易即可剥离的防护胶膜框架、及利用该防护胶膜框架的照相平版印刷用防护胶膜组件。本发明的防护胶膜框架的特征为,框架的长边长度为500mm以上的大型防护胶膜组件时,角部(12)的50mm以内的外侧面至少设有1处凹部(13)。此外,防护胶膜框架(11)的外侧面整体配设5处以上的凹部(13),凹部(13)为直径1.0mm以上、3.0mm以下、深度0.5mm以上的未贯穿的圆孔。其次,利用此种防护胶膜框架来构成防护胶膜组件。 | ||
搜索关键词: | 防护 胶膜 框架 | ||
【主权项】:
1.一种防护胶膜框架,其特征在于,在框架的长边长度为500mm以上的大型防护胶膜组件中,角部附近50mm以内的外侧面至少设有1处凹部。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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