[发明专利]光刻掩模和用于生成光刻掩模的方法无效
申请号: | 200610055091.4 | 申请日: | 2006-03-03 |
公开(公告)号: | CN1828409A | 公开(公告)日: | 2006-09-06 |
发明(设计)人: | T·亨克尔;R·克勒;C·内尔谢尔;K·伦纳 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F7/20;H01L21/027 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 程天正;张志醒 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 用于在衬底上对抗蚀剂层进行光刻制图的具有第一区域(50、52、54、56)以及第二和第三区域(60、62、64、66、70、72、74、76)的光刻掩模,在第一区域中光刻掩模(14)具有不透明层,第二和第三区域在光刻掩模的光学厚度方面不同且在其中光刻掩模至少是半透明的。光刻掩模包括具有交替布置并且被第一区域(50)环绕的多个第二区域(62、64)和多个第三区域(72、74)的第一段(44),用于以小于预定临界距离的距离光刻生成抗蚀剂开口(34、36)。该光刻掩模还包括具有多个第三区域(70、76)的第二段(42、46),每个第三区域都被第二区域环绕,该第二区域被多重连接的第一区域环绕,用于以大于预定临界距离的距离光刻生成抗蚀剂开口(32、38)。 | ||
搜索关键词: | 光刻 用于 生成 方法 | ||
【主权项】:
1.用于在衬底上对抗蚀剂层进行光刻制图的具有第一区域(50、52、54、56、58)以及第二和第三区域(60、62、64、66、70、72、74、76)的光刻掩模(14),其中在所述第一区域中所述光刻掩模(14)具有不透明层,所述第二和第三区域在所述光刻掩模(14)的光学厚度方面有所区别,并且在所述第二和第三区域中所述光刻掩模(14)至少是半透明的,所述光刻掩模具有:第一段(44),该第一段具有被交替布置的并且被第一区域(50)环绕的多个第二区域(62、64)和多个第三区域(72、74),用于以小于预定的临界距离的距离光刻生成抗蚀剂开口(34、36);以及第二段(42、46),该第二段具有多个第三区域(70、76),这些第三区域(70、76)中的每一个都被第二区域(60、66)环绕,该第二区域(60、66)被多重连接的第一区域(50)环绕,用于以大于预定的临界距离的距离光刻生成抗蚀剂开口(32、38)。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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